Перейти на главную страницу сайта

 Поставки КИПиА и электротехнического оборудования

 

КТЭ7Б

 
Сделать заказ >>>
bline.gif (87 bytes)

 Поиск в каталоге:
 
КТЭ7Б Тензорезисторы / Функциональная аппаратура / Каталог продукции
  • Описание
  • Технические данные
Наименование:
КТЭ7Б

Тип:
Тензорезисторы

ТУ:


Краткое тех. описание:


Цена КТЭ7Б:
Уточняйте по телефону или через обратную связь.

Тензорезисторы КТЭ7Б

ОПИСАНИЕ:
  • для измерения деформации

Мостовые схемы подключаются к тензометрической станции ZET017-T8, питание схемы осуществляется от встроенного генератора тензостанции, измерения проводятся с помощью поставляемого с тензостанцией ПО ZETLAB TENZO, которое позволяет не только получать значения величины воздействия на объект измерений, но и строить параметрические зависимости измеряемых величин, проводить мониторинг параметров процессов, осуществлять автоматическое управление и регулирование и т.д.

Полупроводниковые тензорезисторы, подключенные к измерительным модулям ZET 7010 Tensometer-485 (статические измерения), ZET 7110 Tensometer-CAN (статические измерения) и ZET 7111 Tensometer-CAN (динамические измерения) образуют интеллектуальные тензодатчики. Интеллектуальные тензодатчики (тензорезистор) передают с выхода непосредственно значение измеряемой величины, что избавляет пользователя от необходимости настройки измерительного канала и обработки данных. Питание тензометрической схемы осуществляется от измерительного модуля.

Параметр Ед. измерения Значение
Длина кристалла

мм

7

Сопротивление

R, Ом

510±5%

Температурный коэффициент сопротивления, QR

%, не более

+0,4

Коэффициент тензочувствительности, S, не менее

-100

Диапазон упругой деформации относительно длины решетки

%

п/п

Длина решетки

мм

п/п

ОСОБЕННОСТИ

Кремниевые полупроводниковые тензорезисторы КТЭ2А, КТЭ2Б, КТЭ7А, КТЭ7Б п-типов и КТД2А, КТД2Б, КТД7А, КТД7Б р-типов проводимости предназначены для измерения деформаций. Тензорезисторы подключаются по мостовой, полумостовой или четверть мостовой схеме в зависимости от задачи: измерение силы, относительного перемещения, растяжения, сжатия, крутящего момента, давления и т.д. В разделе Формирование тензометрических мостовых схем рассмотрены схемы подключения с возможностью исключения различных факторов, влияющих на измерения, например, влияние температуры.

ГАБАРИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ

Габариты полупроводниковых тензорезисторов

l1 max l2 d h
КТЭ7Б 46 6,6±0,75 0,4 0,2-0,06

Полупроводниковые тензорезисторы

Заказать КТЭ7Б Тензорезисторы

Тел.(4812)386407, 386663, 387597. Факс(4812)385745
E-mail: mail@tdgears.ru